K4FBE3D4HM-MGCJ — память DDR SDRAM производства Samsung в корпусе BGA-200. Основные параметры: тактовая частота — 1,8665 ГГц; объём памяти — 32 Гбит; напряжение питания — 1,06 В…1,17 В, 1,7 В…1,95 В; ток потребления — 500 мкА, 10 мА, 65 мА. Поставляем оригинальные K4FBE3D4HM-MGCJ под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики K4FBE3D4HM-MGCJ
| Производитель | Samsung |
|---|---|
| Партномер | K4FBE3D4HM-MGCJ |
| Тип | Память DDR SDRAM |
| Тактовая частота | 1,8665 ГГц |
| Рабочая температура | −25…+85 °C |
| Объём памяти | 32 Гбит |
| Напряжение питания | 1,06 В…1,17 В, 1,7 В…1,95 В |
| Ток потребления | 500 мкА, 10 мА, 65 мА |
| Корпус | BGA-200 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить K4FBE3D4HM-MGCJ
Как купить K4FBE3D4HM-MGCJ?
Отправьте заявку с партномером K4FBE3D4HM-MGCJ и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на K4FBE3D4HM-MGCJ?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит K4FBE3D4HM-MGCJ?
Документация производителя на K4FBE3D4HM-MGCJ открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги K4FBE3D4HM-MGCJ?
Если K4FBE3D4HM-MGCJ недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Микросхемы памяти»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам