2N3055
Биполярный транзистор
2N3055 — биполярный транзистор производства JSMSEMI в корпусе TO-3. Основные параметры: граничная частота — 2,5 МГц; напряжение К-Э — 60 В; коэффициент усиления по току — 5; ток коллектора — 15 А; напряжение насыщения К-Э — 3 В; рассеиваемая мощность — 115 Вт. Поставляем оригинальные 2N3055 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики 2N3055
| Производитель | JSMSEMI |
|---|---|
| Партномер | 2N3055 |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Рабочая температура | −65…+150 °C |
| Граничная частота | 2,5 МГц |
| Напряжение К-Э | 60 В |
| Коэффициент усиления по току | 5 |
| Ток коллектора | 15 А |
| Напряжение насыщения К-Э | 3 В |
| Тип | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 115 Вт |
| Корпус | TO-3 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
BTA16-800CWRGТиристорХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →IRF4905PBFP-канальный MOSFET −55 В, −74 АХарактеристики и даташит →AO3400AN-канальный MOSFET 30 В, 5,7 А в SOT-23Характеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор