CSD23280F3 — MOSFET-транзистор производства Texas Instruments в корпусе PicoStar-3. Основные параметры: входная ёмкость — 234 пФ; пороговое напряжение затвора — 950 мВ; заряд затвора — 1,23nC@4,5 В; ток стока — 1,8 А; напряжение сток-исток — 12 В; рассеиваемая мощность — 500 мВт; сопротивление канала RDS(on) — 116 мОм@4,5 В. Поставляем оригинальные CSD23280F3 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики CSD23280F3
| Производитель | Texas Instruments |
|---|---|
| Партномер | CSD23280F3 |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Входная ёмкость | 234 пФ |
| Пороговое напряжение затвора | 950 мВ |
| Заряд затвора | 1,23nC@4,5 В |
| Ток стока | 1,8 А |
| Напряжение сток-исток | 12 В |
| Рассеиваемая мощность | 500 мВт |
| Сопротивление канала RDS(on) | 116 мОм@4,5 В |
| Корпус | PicoStar-3 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
IRFR9110MOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →CSD18504Q5AMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →CSD19536KTTTMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор