FDS2582 — MOSFET-транзистор производства onsemi в корпусе SO-8. Основные параметры: заряд затвора — 19nC@10 В; ток стока — 4,1 А; напряжение сток-исток — 150 В; сопротивление канала RDS(on) — 66 мОм@10 В; входная ёмкость — 1,29 нФ; пороговое напряжение затвора — 2 В; рассеиваемая мощность — 2,5 Вт. Поставляем оригинальные FDS2582 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики FDS2582
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Партномер | FDS2582 |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Заряд затвора | 19nC@10 В |
| Ток стока | 4,1 А |
| Напряжение сток-исток | 150 В |
| Сопротивление канала RDS(on) | 66 мОм@10 В |
| Входная ёмкость | 1,29 нФ |
| Тип | N-канальный |
| Пороговое напряжение затвора | 2 В |
| Рассеиваемая мощность | 2,5 Вт |
| Корпус | SO-8 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
BSS138N-канальный логический MOSFET 50 ВХарактеристики и даташит →BC547BБиполярный NPN транзистор общего назначенияХарактеристики и даташит →P2N2222AБиполярный NPN транзистор 40 В, 600 мАХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор