FP25R12W2T4 — IGBT-транзистор производства Infineon в корпусе 插件,62.8x56.7mm. Основные параметры: ток коллектора — 39 А; напряжение насыщения К-Э — 2,25 В@25 А,15 В; рассеиваемая мощность — 175 Вт. Поставляем оригинальные FP25R12W2T4 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики FP25R12W2T4
| Производитель | Infineon |
|---|---|
| Партномер | FP25R12W2T4 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Рабочая температура | −40…+150 °C |
| Ток коллектора | 39 А |
| Напряжение насыщения К-Э | 2,25 В@25 А,15 В |
| Рассеиваемая мощность | 175 Вт |
| Корпус | 插件,62.8x56.7mm |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить FP25R12W2T4
Как купить FP25R12W2T4?
Отправьте заявку с партномером FP25R12W2T4 и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на FP25R12W2T4?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит FP25R12W2T4?
Документация производителя на FP25R12W2T4 открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги FP25R12W2T4?
Если FP25R12W2T4 недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам