FQPF8N80C — MOSFET-транзистор производства onsemi в корпусе TO-220F. Основные параметры: входная ёмкость — 2,05 нФ; пороговое напряжение затвора — 5 В; заряд затвора — 45nC@640 В; ток стока — 8 А; напряжение сток-исток — 800 В; сопротивление канала RDS(on) — 1,55 Ом@10 В. Поставляем оригинальные FQPF8N80C под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики FQPF8N80C
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Партномер | FQPF8N80C |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Входная ёмкость | 2,05 нФ |
| Пороговое напряжение затвора | 5 В |
| Заряд затвора | 45nC@640 В |
| Ток стока | 8 А |
| Напряжение сток-исток | 800 В |
| Сопротивление канала RDS(on) | 1,55 Ом@10 В |
| Корпус | TO-220F |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить FQPF8N80C
Как купить FQPF8N80C?
Отправьте заявку с партномером FQPF8N80C и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на FQPF8N80C?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит FQPF8N80C?
Документация производителя на FQPF8N80C открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги FQPF8N80C?
Если FQPF8N80C недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам