HE8550G-D-AB3-R — биполярный транзистор производства UTC в корпусе SOT-89. Основные параметры: граничная частота — 190 МГц; напряжение К-Э — 25 В; коэффициент усиления по току — 160; ток коллектора — 1,5 А; напряжение насыщения К-Э — 500 мВ; рассеиваемая мощность — 1 Вт. Поставляем оригинальные HE8550G-D-AB3-R под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики HE8550G-D-AB3-R
| Производитель | UTC |
|---|---|
| Партномер | HE8550G-D-AB3-R |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Граничная частота | 190 МГц |
| Напряжение К-Э | 25 В |
| Коэффициент усиления по току | 160 |
| Ток коллектора | 1,5 А |
| Напряжение насыщения К-Э | 500 мВ |
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт |
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-89 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить HE8550G-D-AB3-R
Как купить HE8550G-D-AB3-R?
Отправьте заявку с партномером HE8550G-D-AB3-R и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на HE8550G-D-AB3-R?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит HE8550G-D-AB3-R?
Документация производителя на HE8550G-D-AB3-R открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги HE8550G-D-AB3-R?
Если HE8550G-D-AB3-R недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам