IRF640NPBF — MOSFET-транзистор производства Infineon в корпусе TO-220AB. Основные параметры: заряд затвора — 67nC@10 В; ток стока — 18 А; напряжение сток-исток — 200 В; сопротивление канала RDS(on) — 150 мОм@10 В; входная ёмкость — 1,16 нФ; пороговое напряжение затвора — 4 В; рассеиваемая мощность — 150 Вт. Поставляем оригинальные IRF640NPBF под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики IRF640NPBF
| Производитель | Infineon |
|---|---|
| Партномер | IRF640NPBF |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+175 °C |
| Заряд затвора | 67nC@10 В |
| Ток стока | 18 А |
| Напряжение сток-исток | 200 В |
| Сопротивление канала RDS(on) | 150 мОм@10 В |
| Входная ёмкость | 1,16 нФ |
| Тип | N-канальный |
| Пороговое напряжение затвора | 4 В |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Корпус | TO-220AB |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
IRF7832PBFMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →IRFB4332PBFMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →IRF7401PBFMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор