IRGP50B60PD1 — IGBT-транзистор производства Infineon в корпусе TO-247-3. Основные параметры: заряд затвора — 205nC@15 В; ток коллектора — 75 А; напряжение насыщения К-Э — 2 В; рассеиваемая мощность — 390 Вт. Поставляем оригинальные IRGP50B60PD1 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики IRGP50B60PD1
| Производитель | Infineon |
|---|---|
| Партномер | IRGP50B60PD1 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Код для заказа | IRGP50B60PD1PBF |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Заряд затвора | 205nC@15 В |
| Ток коллектора | 75 А |
| Напряжение насыщения К-Э | 2 В |
| Рассеиваемая мощность | 390 Вт |
| Корпус | TO-247-3 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить IRGP50B60PD1
Как купить IRGP50B60PD1?
Отправьте заявку с партномером IRGP50B60PD1 и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на IRGP50B60PD1?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит IRGP50B60PD1?
Документация производителя на IRGP50B60PD1 открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги IRGP50B60PD1?
Если IRGP50B60PD1 недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам