MMBT5551LT1G — биполярный транзистор производства onsemi в корпусе SOT-23. Основные параметры: напряжение К-Э — 160 В; коэффициент усиления по току — 80; ток коллектора — 600 мА; напряжение насыщения К-Э — 250 мВ; рассеиваемая мощность — 300 мВт. Поставляем оригинальные MMBT5551LT1G под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики MMBT5551LT1G
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Партномер | MMBT5551LT1G |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Напряжение К-Э | 160 В |
| Коэффициент усиления по току | 80 |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Напряжение насыщения К-Э | 250 мВ |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить MMBT5551LT1G
Как купить MMBT5551LT1G?
Отправьте заявку с партномером MMBT5551LT1G и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на MMBT5551LT1G?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит MMBT5551LT1G?
Документация производителя на MMBT5551LT1G открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги MMBT5551LT1G?
Если MMBT5551LT1G недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам