NTLJS3113PT1G — MOSFET-транзистор производства onsemi в корпусе WDFN-6(2x2). Основные параметры: входная ёмкость — 1,329 нФ; заряд затвора — 15,7nC@4,5 В; ток стока — 3,5 А; напряжение сток-исток — 20 В; сопротивление канала RDS(on) — 40 мОм@4,5 В. Поставляем оригинальные NTLJS3113PT1G под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики NTLJS3113PT1G
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Партномер | NTLJS3113PT1G |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Входная ёмкость | 1,329 нФ |
| Заряд затвора | 15,7nC@4,5 В |
| Ток стока | 3,5 А |
| Напряжение сток-исток | 20 В |
| Сопротивление канала RDS(on) | 40 мОм@4,5 В |
| Корпус | WDFN-6(2x2) |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Как купить NTLJS3113PT1G
Как купить NTLJS3113PT1G?
Отправьте заявку с партномером NTLJS3113PT1G и количеством — в течение 24 часов в рабочие дни пришлём коммерческое предложение с ценой и сроком поставки. Работаем с юрлицами по безналичному расчёту, отгружаем с УПД.
Какая цена на NTLJS3113PT1G?
Цена зависит от количества, упаковки и срока поставки. Укажите нужное количество — рассчитаем стоимость партии; на крупные партии цена ниже.
Где скачать даташит NTLJS3113PT1G?
Документация производителя на NTLJS3113PT1G открывается по кнопке «Даташит» на этой странице. Если нужен перевод ключевых параметров, напишите — поможем.
Есть ли аналоги NTLJS3113PT1G?
Если NTLJS3113PT1G недоступен или срок не подходит, подберём совместимую замену по параметрам и корпусу. Укажите в заявке, допустимы ли аналоги.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам