SiZ918DT-T1-GE3 — MOSFET-транзистор производства Vishay в корпусе DFN-8. Основные параметры: входная ёмкость — 790 пФ; пороговое напряжение затвора — 2,2 В; заряд затвора — 105nC@10 В; ток стока — 14,3 А; напряжение сток-исток — 30 В; рассеиваемая мощность — 100 Вт; сопротивление канала RDS(on) — 14,5 мОм@4,5 В. Поставляем оригинальные SiZ918DT-T1-GE3 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики SiZ918DT-T1-GE3
| Производитель | Vishay |
|---|---|
| Партномер | SiZ918DT-T1-GE3 |
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Тип | N-канальный |
| Входная ёмкость | 790 пФ |
| Пороговое напряжение затвора | 2,2 В |
| Заряд затвора | 105nC@10 В |
| Ток стока | 14,3 А |
| Напряжение сток-исток | 30 В |
| Рассеиваемая мощность | 100 Вт |
| Сопротивление канала RDS(on) | 14,5 мОм@4,5 В |
| Корпус | DFN-8 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
IRF740PBFN-канальный MOSFET 400 В, 10 АХарактеристики и даташит →SI2302CDS-T1-GE3N-канальный MOSFET 20 В в SOT-23Характеристики и даташит →IRF840SMOSFET-транзисторХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор