TIP117
Транзистор Дарлингтона
TIP117 — транзистор Дарлингтона производства onsemi в корпусе TO-220-3. Основные параметры: напряжение К-Э — 100 В; коэффициент усиления по току — 1000; ток коллектора — 2 А; напряжение насыщения К-Э — 2,5 В; рассеиваемая мощность — 2 Вт. Поставляем оригинальные TIP117 под заказ от 5 дней: от единичных штук для разработки до партий для серийного производства, с документами для юрлиц.
Характеристики TIP117
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Партномер | TIP117 |
| Тип | Транзистор Дарлингтона |
| Рабочая температура | −65…+150 °C@(Tj) |
| Тип | PNP |
| Напряжение К-Э | 100 В |
| Коэффициент усиления по току | 1000 |
| Ток коллектора | 2 А |
| Напряжение насыщения К-Э | 2,5 В |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Корпус | TO-220-3 |
Основные параметры приведены для ознакомления. Точные значения и условия — в документации производителя.
Другие позиции раздела «Транзисторы»
BSS138N-канальный логический MOSFET 50 ВХарактеристики и даташит →BC547BБиполярный NPN транзистор общего назначенияХарактеристики и даташит →P2N2222AБиполярный NPN транзистор 40 В, 600 мАХарактеристики и даташит →IRF540NPBFN-канальный MOSFET 100 В, 33 АХарактеристики и даташит →IRLZ44NPBFЛогический N-канальный MOSFET 55 В, 47 АХарактеристики и даташит →IRF3205PBFN-канальный MOSFET 55 В, 110 АХарактеристики и даташит →
Заявка
Пришлите перечень, посчитаем за сутки
Скопируйте позиции из Excel прямо в поле или прикрепите файл со спецификацией. Можно также написать на sales@msk-kom.ru.
- 24 чкоммерческое предложение по всем позициям
- ALTаналоги для недоступных компонентов
- 1 счётна весь перечень, без разбивки по поставщикам
Заявка на подбор