IXGQ50N60C4D1

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Серия
-
Тип IGBT
PT
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
600V
Максимальный Ток Коллектора (Ic)
90A
Коллекторный ток (Icm)
220A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 36A
Рассеивание мощности
300W
Энергия переключения
950µJ (on), 840µJ (off)
Тип входа
Standard
Заряд затвора
113nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C
40ns/270ns
Условие испытаний
400V, 36A, 10 Ohm, 15V
Время восстановления запорного слоя (trr)
25ns
Корпус
TO-3P-3, SC-65-3
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-3P
Производитель
IXYS
Партномер: IXGQ50N60C4D1

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
IXYS


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней