FII30-12E

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Серия
-
Тип IGBT
NPT
Конфигурация
Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
1200V
Максимальный Ток Коллектора (Ic)
33A
Рассеивание мощности
150W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 20A
Обратный ток коллектора (Max)
200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce
1.2nF @ 25V
Вид монтажа
Through Hole
Корпус
i4-Pac™-5
Исполнение корпуса
ISOPLUS i4-PAC™
Производитель
IXYS
Партномер: FII30-12E

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
IXYS


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней