FII50-12E

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Серия	-
Тип IGBT	NPT
Конфигурация	Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	50A
Рассеивание мощности	200W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 30A
Обратный ток коллектора (Max)	400µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	i4-Pac™-5
Исполнение корпуса	ISOPLUS i4-PAC™
Производитель	IXYS

Партномер: FII50-12E

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе

Производитель:
IXYS

Запрос цены

Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент

На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки

Сертификаты

Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008

Качество

Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов

Сроки поставок

Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней

МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!

Политика обработки персональных данных