SI1012X-T1-GE3

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
FET Polarity	N-Channel
FET Feature	Logic

Партномер: SI1012X-T1-GE3

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе

Производитель:
Vishay/Siliconix

Запрос цены

Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент

На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки

Сертификаты

Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008

Качество

Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов

Сроки поставок

Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней

МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!

Политика обработки персональных данных