Обратная связь
Вы недавно просматривали
Характеристики
Категория продукта | Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET |
Серия | - |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) | 30V |
Напряжение сток-исток ( (Vdss) | - |
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7mA @ 15V |
Ток утечки (Id) - Макс | - |
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id | 3V @ 10nA |
Входная емкость (Ciss) @ Vds | - |
Сопротивление в режиме насыщения (RDS) | 125 Ohm |
Вид монтажа | Surface Mount |
Корпус | TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD |
Исполнение корпуса | SOT-23 |
Рассеивание мощности | 350mW |
Производитель | Central Semiconductor Corp |
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!