Обратная связь
Вы недавно просматривали
Характеристики
Категория продукта | Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET |
Серия | - |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) | 40V |
Напряжение сток-исток ( (Vdss) | - |
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 20V |
Ток утечки (Id) - Макс | - |
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id | 500mV @ 1nA |
Входная емкость (Ciss) @ Vds | 14pF @ 20V |
Сопротивление в режиме насыщения (RDS) | 100 Ohm |
Вид монтажа | Surface Mount |
Корпус | Die |
Исполнение корпуса | Die |
Рассеивание мощности | - |
Производитель | Central Semiconductor Corp |
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!