Обратная связь
Вы недавно просматривали
Характеристики
Категория продукта | Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET |
Серия | - |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) | - |
Напряжение сток-исток ( (Vdss) | 40V |
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50µA @ 20V |
Ток утечки (Id) - Макс | 1mA |
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Входная емкость (Ciss) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
Сопротивление в режиме насыщения (RDS) | - |
Вид монтажа | Surface Mount |
Корпус | 3-XFDFN |
Исполнение корпуса | 3-ECSP1006 |
Рассеивание мощности | 100mW |
Производитель | ON Semiconductor |
Производитель:
ON Semiconductor
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!