EC3A04B-3-TL-H

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта	Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Серия	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1.2mA @ 10V
Ток утечки (Id) - Макс	10mA
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	180mV @ 1µA
Входная емкость (Ciss) @ Vds	4pF @ 10V
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	200 Ohm
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-XFDFN
Исполнение корпуса	3-ECSP1006
Рассеивание мощности	100mW
Производитель	ON Semiconductor

Партномер: EC3A04B-3-TL-H

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе

Производитель:
ON Semiconductor

Запрос цены

Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент

На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки

Сертификаты

Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008

Качество

Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов

Сроки поставок

Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней

МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!

Политика обработки персональных данных