J112RLRAG

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Серия
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
35V
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
-
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
5mA @ 15V
Ток утечки (Id) - Макс
-
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
1V @ 1µA
Входная емкость (Ciss) @ Vds
-
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
50 Ohm
Вид монтажа
Through Hole
Корпус
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Исполнение корпуса
TO-92-3
Рассеивание мощности
350mW
Производитель
ON Semiconductor
Партномер: J112RLRAG

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
ON Semiconductor


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней