J112RLRAG

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта	Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Серия	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	35V
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5mA @ 15V
Ток утечки (Id) - Макс	-
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 1µA
Входная емкость (Ciss) @ Vds	-
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	50 Ohm
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности	350mW
Производитель	ON Semiconductor

Партномер: J112RLRAG

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе

Производитель:
ON Semiconductor

Запрос цены

Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент

На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки

Сертификаты

Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008

Качество

Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов

Сроки поставок

Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней

МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!

Политика обработки персональных данных