SMMBFJ175LT1G

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта	Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Серия	-
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	7mA @ 15V
Ток утечки (Id) - Макс	-
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 10nA
Входная емкость (Ciss) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	125 Ohm
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Исполнение корпуса	SOT-23 (TO-236AB)
Рассеивание мощности	225mW
Производитель	ON Semiconductor

Партномер: SMMBFJ175LT1G

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе

Производитель:
ON Semiconductor

Запрос цены

Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент

На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки

Сертификаты

Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008

Качество

Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов

Сроки поставок

Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней

МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!

Политика обработки персональных данных