SMMBFJ175LT1G

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Серия
-
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
30V
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
-
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
7mA @ 15V
Ток утечки (Id) - Макс
-
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
3V @ 10nA
Входная емкость (Ciss) @ Vds
11pF @ 10V (VGS)
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
125 Ohm
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Исполнение корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Рассеивание мощности
225mW
Производитель
ON Semiconductor
Партномер: SMMBFJ175LT1G

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
ON Semiconductor


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней