NE856M02-T1-AZ

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Высокочастотные биполярные транзисторы
Серия
-
Тип транзистора
NPN
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
12V
Трансформация частоты
6.5GHz
Уровень шума (дБ при f)
1.1dB @ 1GHz
Усиление
12dB
Рассеивание мощности
1.2W
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
Максимальный Ток Коллектора (Ic)
100mA
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
TO-243AA
Исполнение корпуса
SOT-89
Производитель
CEL
Партномер: NE856M02-T1-AZ

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
CEL


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней