SIC779ACD-T1-GE3

Вы недавно просматривали

Нет страниц

Характеристики

Категория продукта
Микросхемы управления электропитанием - Схемы управления Мостовые, Полумостовые
Серия
-
Конфигурация выхода
Half Bridge
Применение
Synchronous Buck Converters
Интерфейс
PWM
Тип нагрузки
Inductive
Технология
DrMOS
Сопротивление Rds On (Номинальное)
-
Выходной ток на канал
35A
Повторяющийся импульсный ток
-
Напряжение питания
4.5 V ~ 5.5 V
Напряжение нагрузки
3 V ~ 16 V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Особенности
Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Защита от отказов
Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Вид монтажа
Surface Mount
Корпус
PowerPAK® MLP66-40
Исполнение корпуса
PowerPAK® MLP66-40
Производитель
Vishay Siliconix
Партномер: SIC779ACD-T1-GE3

Срок поставки:
от 10 дней

На удаленном складе


Производитель:
Vishay Siliconix


Запрос цены

    Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.

Наши преимущества

Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку  электронных компонентов от 5 до 14 дней