Обратная связь
Вы недавно просматривали
Характеристики
Категория продукта | Полевые транзисторы - Сборки |
Серия | HEXFET® |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Особенности полевого транзистора | Logic Level Gate |
Напряжение сток-исток ( (Vdss) | 55V |
Ток стока (Id) @ 25°C | 5.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) @ Vds | 780pF @ 25V |
Рассеивание мощности | 2.4W |
Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Вид монтажа | Surface Mount |
Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Исполнение корпуса | 8-SO |
Производитель | Infineon Technologies Americas Corp. |
Производитель:
Infineon Technologies Americas Corp.
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!