Обратная связь
Вы недавно просматривали
Характеристики
Категория продукта  | Полевые транзисторы - Сборки  | 
Серия  | HEXFET®  | 
Тип полевого транзистора  | N and P-Channel  | 
Особенности полевого транзистора  | Logic Level Gate  | 
Напряжение сток-исток ( (Vdss)  | 20V  | 
Ток стока (Id) @ 25°C  | 5.2A, 4.3A  | 
Rds On (Max) @ Id, Vgs  | 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V  | 
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id  | 700mV @ 250µA  | 
Заряд затвора (Qg) @ Vgs  | 20nC @ 4.5V  | 
Входная емкость (Ciss) @ Vds  | 660pF @ 15V  | 
Рассеивание мощности  | 2W  | 
Рабочая температура  | -55°C ~ 150°C (TJ)  | 
Вид монтажа  | Surface Mount  | 
Корпус  | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  | 
Исполнение корпуса  | 8-SO  | 
Производитель  | Infineon Technologies Americas Corp.  | 
Срок поставки:
от 10 дней
Производитель:
Infineon Technologies Americas Corp.
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!