Обратная связь
IRFHM8363TRPBF
IRFHM8363TRPBF
Вы недавно просматривали
Нет страниц
Характеристики
Категория продукта | Полевые транзисторы - Сборки |
Серия | HEXFET® |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Особенности полевого транзистора | Logic Level Gate |
Напряжение сток-исток ( (Vdss) | 30V |
Ток стока (Id) @ 25°C | 11A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) @ Vds | 1165pF @ 10V |
Рассеивание мощности | 2.7W |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Вид монтажа | Surface Mount |
Корпус | 8-PowerVDFN |
Исполнение корпуса | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Производитель | Infineon Technologies Americas Corp. |
Срок поставки:
от 10 дней
На удаленном складе
Производитель:
Infineon Technologies Americas Corp.
Запрос цены
Внимание, мы работаем только с юридическими лицами. Минимальная сумма счета от 2000 рублей.
Наши преимущества
Ассортимент
На складах всегда доступны к заказу более 100000 позиций по минимальным срокам поставки
Сертификаты
Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008
Качество
Наличие собственной лаборатории позволяет нам проводить проверку всех компонентов
Сроки поставок
Мы предлагаем срочную поставку электронных компонентов от 5 до 14 дней
МОСКОМ - поставка электронных компонентов со всего мира!